La mejora de la memoria del ordenador con la nanotecnología
Los investigadores están utilizando la nanotecnología para crear otros tipos de memoria de la computadora, tratando de dejar atrás la memoria flash que es dominante en el mercado actual. Varias empresas y universidades están desarrollando cuatro métodos de uso de nanocables o nanopartículas para aumentar la cantidad de memoria almacenada en unidades de estado sólido.
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Hacer memoria con memristores
Hewett Packard está desarrollando un dispositivo de memoria que utiliza nanocables recubiertas con dióxido de titanio. Un grupo de estos nanocables se deposita en paralelo a otro grupo. Cuando un nanocable perpendicular se coloca sobre un grupo de alambres paralelos, un dispositivo llamado memristor se forma en cada intersección.
Un memristor puede ser utilizado como una célula de memoria de un solo componente en un circuito integrado. Al reducir el diámetro de los nanocables, los investigadores creen chips de memoria memristor pueden lograr una mayor densidad de memoria de chips de memoria flash.
Pistas de carreras de nanocables
Nanocables magnéticos hechos de una aleación de hierro y níquel se utilizan para crear los dispositivos de memoria densos. Los investigadores de IBM han desarrollado un método para magnetizar secciones de estos nanocables.
Mediante la aplicación de una corriente que pueden mover las secciones magnetizadas a lo largo de la longitud del alambre. Como las secciones magnetizadas se mueven a lo largo del alambre, los datos se leen por un sensor estacionario. Este método se llama memoria de pista de carreras, porque las carreras de datos por el sensor estacionario.
El plan es crecer a cientos de millones de nanocables hipódromo en forma de U en un sustrato de silicio para crear a bajo costo, de alta densidad, y los chips de memoria de alta fiabilidad.
Silicon sándwiches memoria dióxido de
Otro método de usar nanocables se está investigando en la Universidad de Rice. Los investigadores de Rice han descubierto que pueden utilizar nanocables de dióxido de silicio para crear dispositivos de memoria. El nanocable se intercala entre dos electrodos. Mediante la aplicación de una tensión, que cambie la resistencia de los nanocables en ese lugar. Cada ubicación en la que los nanocables se encuentra entre dos electrodos se convierte en una célula de memoria.
La clave de este enfoque es que los investigadores han encontrado que pueden cambiar repetidamente el estado de cada celda de memoria entre conductoras y no conductoras sin dañar las características del material. Estos investigadores creen que pueden alcanzar altas densidades de memoria utilizando nanocables con un diámetro de unos 5 nm y apilando varias capas de matrices de estos nanocables como un club sándwich de tres pisos.
Nanopuntos para almacenar más datos en el espacio más pequeño
Un método alternativo siendo desarrollado para aumentar la densidad de los dispositivos de memoria es para almacenar información en nanopartículas magnéticas. Investigadores de la Universidad Estatal de Carolina del Norte están creciendo matrices de nanopartículas magnéticas, llamadas nanopuntos, que son aproximadamente 6 nm de diámetro. Cada punto contendría información determine si son o no son magnetizados. El uso de miles de millones de estos puntos de diámetro de 6 nm en un dispositivo de memoria podría aumentar la densidad de memoria.
Será interesante ver cómo estos métodos, y el trabajo de los fabricantes de memoria existentes para mejorar los dispositivos de almacenamiento de memoria existentes, resultan. ¿Qué tipo de dispositivos de memoria que estaremos utilizando 5 o 10 años a partir de ahora va a venir a la combinación adecuada de la densidad de la memoria, el consumo de energía, los datos de lectura y escritura de velocidades, y qué técnica atrae a la financiación para construir plantas de fabricación.
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