Transistores de efecto de campo
LA transistor de efecto campo (FET) consiste en un canal de N- o material semiconductor de tipo P a través del cual la corriente puede fluir, con un material diferente (establecido a través de una sección del canal) controlar la conductividad del canal.
Uno de los extremos del canal se conoce como la fuente, el otro extremo del canal se llama desagüe, y el mecanismo de control se llama el puerta. Al aplicar una tensión a la puerta, se controla el flujo de corriente desde la fuente al drenaje. Leads están unidos a la fuente, drenaje, y la puerta. Algunos FET incluyen un cuarto de plomo para que pueda fundamentar parte de la FET en el chasis del circuito. (Pero no hay que confundir estas criaturas de cuatro patas con MOSFET de doble puerta, que también contará con cuatro pistas.)
FET (pronunciado "Fetts") vienen en dos sabores - de canal N y P-canal - dependiendo del tipo de material semiconductor (N-tipo o de tipo P, respectivamente) a través del cual fluye la corriente. Hay dos subtipos principales de FET: MOSFET (FET de metal-óxido-semiconductor) y JFET (FET de unión). ¿Qué es que depende de cómo se construye la puerta - que se traduce, a su vez, en diferentes propiedades eléctricas y diferentes usos para cada tipo.
FET (particularmente MOSFETs) se han convertido en mucho más popular que los transistores bipolares para su uso en circuitos integrados (ICs), Donde miles de transistores trabajan juntos para realizar una tarea. Eso es porque son dispositivos de baja potencia, cuya estructura permite que miles de N y P-MOSFET de canal para ser hacinados como sardinas en una sola pieza de silicio (es decir, material semiconductor).
La descarga electrostática (ESD) puede dañar FETs. Si usted compra FET, asegúrese de mantenerlos en una bolsa antiestática o tubo - y dejarlos allí hasta que esté listo para usarlos.
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